シンタリング抑制と触媒機能発現の両立に向けたSiOx層と金属触媒の位置選択的形成

• 研究課題/領域番号: 24K08165
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分27030:触媒プロセスおよび資源化学プロセス関連
• 研究機関: 久留米工業高等専門学校
• 研究代表者: 清長 友和 久留米工業高等専門学校, 材料システム工学科, 准教授 (90727421)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2024年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
• キーワード: 触媒機能 / シンタリング抑制 / 金属ナノ粒子 / 位置選択的形成

研究開始時の研究の概要

金属触媒はその触媒活性向上のため、ナノ粒子化による大表面積化が行われている。しかし、反応温度の増加にともないシンタリング（金属ナノ粒子触媒の凝集）が起こりやすくなり、触媒活性が低下してしまうため、大きな問題となっている。
本研究の目的は金属ナノ粒子触媒のシンタリングを抑制するために担体（酸化チタン）上にSiOx層を位置選択的に形成させることに加えて、形成させたこのSiOx層と接触が極力起こらないように金属ナノ粒子触媒を担体上に位置選択的に析出させる方法を確立することであり、これにより金属ナノ粒子触媒のシンタリング抑制と金属ナノ粒子本来の触媒機能の発現の両立を目指す。