| 研究課題/領域番号 |
24K08198
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
|
|---|
| 研究機関 | 岐阜大学 |
|---|
研究代表者 |
山田 啓介 岐阜大学, 工学部, 准教授 (50721792)
|
|---|
| 研究分担者 |
島村 一利 金沢大学, 総合技術部(理工), 技術職員 (80869991)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
|
| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2026年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2024年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
|
|---|
| キーワード | ストレイントロニクス / 磁歪 / 強磁性薄膜 / 磁気異方性 |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
本研究は、強誘電体基板と強磁性体の積層構造体を用いて、強誘電体のストレイン(歪み)効果を利用し、強磁性体の磁化/磁区構造の変調を利用した研究を行い、基板のストレイン効果により強磁性薄膜に誘起される磁歪と磁気異方性の機構を探り、各性質や相互作用を明らかにすることを目的とする。さらにその特徴を利用したスピントロニクスデバイスの開発を行う。この研究を通して、学術的知見への貢献と応用デバイス開発に向けた有意な研究成果を挙げることを目指す。
|
