イオン注入法を応用したインプリント技術の開発

• 研究課題/領域番号: 24K08212
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分28030:ナノ材料科学関連
• 研究機関: 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
• 研究代表者: 小宮 一毅 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター, 研究開発本部物理応用技術部電気技術グループ, 副主任研究員 (40578001)
• 研究分担者: 寺西 義一 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター, 研究開発本部機能化学材料技術部プロセス技術グループ, 主任研究員 (50463055) ; 楊 明 東京都立大学, システムデザイン研究科, 教授 (90240142)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円); 2026年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円); 2025年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円); 2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
• キーワード: イオン注入法 / ナノインプリント / トランスファープリント

研究開始時の研究の概要

100nm以下サイズのパターンの作製には、電子線露光装置や半導体で使用される深紫外線露光装置が用いられる。しかし、電子線露光装置は生産性が悪く、深紫外線露光装置は非常に装置が高価であるため一般的には加工が非常に難しい。そこで生産性に優れプロセスも容易であるインプリントを100nm以下のサイズにも応用することが検討されている。
本研究は、インプリント手法の一つであるトランスファプリント法で100nm以下サイズのパターンの作製を検討する。特にナノサイズのインプリントで問題となる転写時の離形性を向上のため金型にイオン注入法を用い離形性を向上させる方法を提案し、離形におけるイオン注入の影響とその効果を明らかにする。