研究課題/領域番号 |
24K08238
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29010:応用物性関連
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
藤田 裕一 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター, 研究員 (40874459)
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研究分担者 |
桜庭 裕弥 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, グループリーダー (10451618)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2025年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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キーワード | 超伝導体 / 強磁性体 / スピントロニクス / 薄膜 |
研究開始時の研究の概要 |
次世代大規模計算機のハードウェアの基礎技術の有望な候補である,超伝導体ベースのデジタル回路や量子ビットの研究開発が国内外で活発に行われている.本研究では,超伝導デバイス・回路の高性能化・高集積化を促進することが期待される,強磁性ジョセフソン接合(強磁性JJ)に注目する.強磁性体(強磁性多層膜)/超伝導体構造の材料開発や超伝導現象の探索を実施し,強磁性多層構造を有する新規の高性能強磁性JJの実現を目指す.
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