スピルオーバーの制御による新奇反応場の創製

• 研究課題/領域番号: 24K08250
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 東京電機大学
• 研究代表者: 小倉 正平 東京電機大学, 工学部, 教授 (10396905)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2024年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: スピルオーバー / 単原子合金触媒 / 水素

研究開始時の研究の概要

単原子合金触媒において活性サイトから非活性サイトへの分子の拡散であるスピルオーバーという現象が観測されているが、スピルオーバーを制御して触媒の性能を向上させた例はない。本研究ではパラジウム金合金表面において反応中に生じる水素原子を試料内部にスピルオーバーさせ、分子吸着により水素の放出を阻害して一時的に反応系から分離することにより、メタンなどの炭化水素の分解・改質反応に対して特異な活性・選択性を持った反応場の創製を目指す。本研究によってスピルオーバーの理解が進み、スピルオーバーを制御した新奇反応触媒の開発につながることが期待される。