研究課題/領域番号 |
24K08258
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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研究機関 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター |
研究代表者 |
小川 大輔 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター, 技術支援本部技術支援部計測分析技術グループ, 副主任研究員 (80752740)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2026年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2025年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2024年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
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キーワード | 二酸化スズ系透明導電膜 / ウェットプロセス / パターニング / リサイクル |
研究開始時の研究の概要 |
透明導電膜は、クリーンエネルギーの生産源(太陽電池)や、省エネルギーのデバイス(液晶パネル、発光ダイオード等)の透明電極に欠かせない材料です。現在最も普及している透明導電膜のITOは希少元素のインジウムを主成分としています。資源量豊富なスズを主成分とするSnO2系透明導電膜でITOを代替するため、ウェットプロセスでのパターニング・リサイクルを可能にする技術開発に取り組みます。
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