軟X線吸収分光法を用いた水素雰囲気下での水素吸蔵合金表面の研究

• 研究課題/領域番号: 24K08260
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 公益財団法人佐賀県産業振興機構(佐賀県産業イノベーションセンター産業振興部研究開発振興課、九州シンク
• 研究代表者: 小林 英一 公益財団法人佐賀県産業振興機構(佐賀県産業イノベーションセンター産業振興部研究開発振興課、九州シンク, ビームライングループ, 主任研究員 (80319376)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2024年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
• キーワード: 水素吸蔵合金表面 / 軟X線吸収分光法

研究開始時の研究の概要

マグネシウム・ニッケル合金が水素吸蔵合金として有望とされているが,実用化において水素の吸蔵放出の温度や反応速度が遅いことなどが課題となっている．水素の吸蔵や放出能力の改善には水素が表面を介して吸蔵や放出するので水素雰囲気下での表面の構造や電子状態などの知見が必要である．本研究では，低真空でも動作可能な高感度で且つ表面敏感な検出器を開発し，それを用いて水素雰囲気下で水素吸蔵合金表面を分析し，活性化および水素吸蔵放出のメカニズムの解明を行う．