| 研究課題/領域番号 |
24K08267
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
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| 研究分担者 |
佐藤 茂雄 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (10282013)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2026年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2024年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | ３Ｃ－ＳｉＣ / ４H－ＳｉＣ / 半導体ヘテロ構造 / パワーＭＯＳＦＥＴ / 界面構造制御 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
4H-SiC基板上へのポリタイプヘテロエピタキシャル成長技術の活用により、適度な大きさのバンドギャップ（2.4 eV）と大きな電子親和力を合わせ持つ3C-SiCを用いたMOSダイオード製作とその電気特性評価に取り組み、MOS構造における4H-SiCに対する3C-SiCの優位性を明らかにする。さらに、3C-SiC部をチャネル、4H-SiC部をドリフト層とすることを特徴とする役割分担型の3C／4HハイブリッドSiC縦型MOSFETの製作と電気特性評価を行い、高チャネル移動度・長期安定性・高耐圧のすべてを兼ね備えるSiCパワートランジスタ実現への指針を得るものである。
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