メニュー
検索
研究課題をさがす
研究者をさがす
KAKENの使い方
日本語
英語
前のページに戻る
3C/4Hヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度SiCパワーMOSFET製作
研究課題
サマリー
2024年度
基礎情報
研究課題/領域番号
24K08267
研究種目
基盤研究(C)
配分区分
基金
応募区分
一般
審査区分
小区分30010:結晶工学関連
研究機関
東北大学
研究代表者
櫻庭 政夫
東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
研究期間 (年度)
2024-04-01 – 2027-03-31
研究課題ステータス
採択 (2024年度)
配分額
*注記
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2026年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2024年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)