ボンドエンジニアリング記述子の開発とそのワイドギャップ半導体結晶成長への適用

• 研究課題/領域番号: 24K08268
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 三重大学
• 研究代表者: 秋山 亨 三重大学, 工学研究科, 准教授 (40362363)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2024年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
• キーワード: 半導体表面 / 表面再構成

研究開始時の研究の概要

本研究課題では、データ科学によるワイドギャップ半導体エピタキシャル成長制御指針の獲得に取り組む。省エネルギー社会の実現に寄与する窒化物半導体や酸化ガリウムといったワイドギャップ半導体材料を中心に取り扱い、データ科学において用いる記述子としてボンドエンジニアリング概念を考慮した記述子を開発する。さらに、ボンドエンジニアリング記述子を用いてエピタキシャル成長過程に対して機械学習および深層学習を適用し、エピタキシャル成長プロセスインフォマティクス手法を構築する。