赤色発光素子応用に資するInGaNマトリクスの構造制御

• 研究課題/領域番号: 24K08271
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 工学院大学
• 研究代表者: 山口 智広 工学院大学, 先進工学部, 教授 (50454517)
• 研究分担者: 富樫 理恵 上智大学, 理工学部, 准教授 (50444112) ; 佐々木 拓生 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 関西光量子科学研究所 放射光科学研究センター, 主幹研究員 (90586190)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2025年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円); 2024年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
• キーワード: InGaN / 赤色発光 / 薄膜 / ナノコラム / 量子構造

研究開始時の研究の概要

格子緩和・残留歪状態が制御された膜構造成長技術や配列・サイズ・組成が制御されたナノコラム構造成長技術に加え、非混和性により生じるIn揺らぎ・相分離の理解とそれらを抑制制御もしくは積極活用したナノ構造の自然形成技術を高めることにより、赤色発光素子応用に資する膜構造、ナノコラム構造、および、量子井戸(QW)や量子ドット(QD)などのナノ構造を有するInGaNマトリクス構造を製作する。