| 研究課題/領域番号 |
24K08272
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 明治大学 |
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研究代表者 |
上田 修 明治大学, 研究・知財戦略機構(生田), 研究推進員(客員研究員) (50418076)
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| 研究分担者 |
池永 訓昭 金沢工業大学, 工学部, 教授 (30512371)
西中 浩之 京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 准教授 (70754399)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2024年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | κ-Ga2O3 / 混晶半導体 / ミストCVD / 結晶欠陥 / 相分離 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、強誘電性を有し、2次元電子ガス(2DEG)濃度がGaNに比べて1桁高いと期待されるκ-Ga2O3に着目し、デバイス用ヘテロ構造作製に不可欠となるκ-(InxGa1-x)2O3混晶半導体の高品質化を図る。
具体的には、ε-GaFeO3基板上へのκ-(InxGa1-x)2O3混晶薄膜成長において、1)格子整合条件にもかかわらず形成された2種の特異な結晶欠陥（U字状転位半ル－プおよび微小欠陥）の評価と形成機構の解明、および2)In組成の増加と共に進行すると思われる熱的不安定性に起因する相分離・組成揺らぎの評価、さらには3)それらの低減・抑制による薄膜の高品質化を、他に先駆けて行う。
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