研究課題/領域番号 |
24K08275
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
西永 慈郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (90454058)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2027年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2026年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2025年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2024年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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キーワード | 多元系化合物半導体 / 結晶成長 / 低温成長 / 量子井戸 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究は高純度金属およびプリカーサーを利用した多元系化合物半導体の低温成膜法の実証、および量子効果デバイスへの応用である。分子線エピタキシー(MBE)法もしくは原子層堆積(ALD)法を利用し、高精度の組成制御、高品質結晶成長の低温化を図り、急峻な多元系化合物半導体ヘテロ界面の作製法を確立させる。また、結晶品質・組成制御の改善を目指し、III族液相を介した多元系化合物半導体の結晶成長技術の構築を行う。
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