新奇量子系実現のための多元化合物ヘテロ界面の結晶成長

• 研究課題/領域番号: 24K08275
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 西永 慈郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (90454058)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2026年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2025年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2024年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: 多元系化合物半導体 / 結晶成長 / 低温成長 / 量子井戸

研究開始時の研究の概要

本研究は高純度金属およびプリカーサーを利用した多元系化合物半導体の低温成膜法の実証、および量子効果デバイスへの応用である。分子線エピタキシー(MBE)法もしくは原子層堆積（ALD）法を利用し、高精度の組成制御、高品質結晶成長の低温化を図り、急峻な多元系化合物半導体ヘテロ界面の作製法を確立させる。また、結晶品質・組成制御の改善を目指し、III族液相を介した多元系化合物半導体の結晶成長技術の構築を行う。