研究課題
基盤研究(C)
本研究では，pブロック金属を用いた配位子保護クラスターの合成を目指す。pブロック金属はp軌道の異方性によって，これまで主に対象とされてきた等方的なs軌道の11族（Ag，Au）とは違った幾何構造となる可能性がある。まずは，標準電極電位が高い13族のインジウム（In）を対象として配位子保護Inクラスターの合成を目指す。また，Inクラスターの安定化要因を探索するため，真空実験も併用する。そのために配位子に利用されるような沸点の高い分子を真空導入する方法も開発する。クラスターの安定性の起源を探索しつつ，触媒反応への適用も目指す。
