研究課題/領域番号 |
24K08444
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分34010:無機・錯体化学関連
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研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
石田 豊 東京工業大学, 理学院, 助教 (00465931)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2027年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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キーワード | 窒素分子活性化 / 遷移金属錯体 / 典型元素化合物 / 小分子活性化 |
研究開始時の研究の概要 |
遷移金属-典型元素複合系を構築することで、不活性小分子であり有用な資源でもある窒素分子から直截的に含窒素化合物を合成することを指向する。窒素錯形成を可能とする低原子価チタン及びバナジウム錯体を前駆体として用い、典型元素 (B, Al, Si) 化合物との反応によって複合体を合成する。これらの複合系錯体を構造が明確な反応場として用いた窒素分子活性化と分子変換反応を検討する。また、理論計算による考察を深めることで、遷移金属錯体及び典型元素化合物の役割を正しく理解する。触媒反応を指向し、金属錯体、典型元素化合物、基質、添加剤等の各要素について適切な条件を探求する。
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