研究課題
基盤研究(C)
分子レベルで遅い磁化緩和を示す錯体は単分子磁石と呼ばれ、将来的な記憶媒体など分子デバイスへの応用が期待されている。ランタノイド錯体は磁気異方性の設計性に優れ、優れた単分子磁石の構築が可能である。本研究では最大12座のカゴ状配位子を用いて安定で高い異方性を持つランタノイド錯体を構築し、その磁気特性の向上と磁化反転機構の詳細解明を目的とするものである。