高分子基板の無電解めっきで形成される高分子‐金属境界領域の3次元ナノ構造制御

• 研究課題/領域番号: 24K08533
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分35020:高分子材料関連
• 研究機関: 地方独立行政法人大阪産業技術研究所
• 研究代表者: 玉井 聡行 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 森之宮センター, 研究フェロー (50416335)
• 研究分担者: 渡辺 充 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 森之宮センター, 研究室長 (70416337) ; 小畠 淳平 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 和泉センター, 主任研究員 (00566424)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2024年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
• キーワード: 高分子表面 / ナノスケール構造 / 表面改質 / 表面修飾 / 無電解めっき

研究開始時の研究の概要

高分子‐金属複合体の形成では、境界領域の構造とそこでの物質間相互作用の理解が望まれる。申請者らは、高分子基板表面において、表面改質、表面修飾、無電解めっきによる金属薄膜形成、の3段階を経て高分子‐金属複合体を得た。多層構造を持つ境界領域の“ナノスケール構造”、および領域での“物質間の物理・化学的相互作用”、両者が複合体の“マクロ特性”向上において重要である。そこで本研究では、“ナノ構造が制御された層”を順次、高分子表面にビルドアップ的に形成させて行くことで、一定の厚みを持ち、かつ複数の層と界面を含む境界領域（interphase）を形成させる。そしてその全域の3次元ナノ構造制御を実現する。