化学応力印加を利用した新Ni酸化物超伝導体の安定的合成法の確立

• 研究課題/領域番号: 24K08563
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
• 研究機関: 横浜国立大学
• 研究代表者: 上原 政智 横浜国立大学, 大学院工学研究院, 准教授 (60323929)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2025年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2024年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
• キーワード: 層状Ni酸化物 / 層状ペロブスカイトNi酸化物 / 超伝導

研究開始時の研究の概要

(Nd0.8Sr0.2)NiO2（超伝導転移温度：Tc = 9～15 K ）は常圧下で最高のTc を持つ銅酸化物高温超伝導体( HTSC ) と結晶・電子構造が極めて類似した初の非銅酸化物超伝導体である。
超伝導は薄膜でのみ生じ、超伝導を示すバルク体の合成が熱望されている。
本研究では(R1-xAx)NiO2 (R=希土類元素、A=Ca, Sr)において、(R1-xAx)の平均イオン半径の違いによる化学応力印加により薄膜に近い状況を再現する(R1-xAx)イオン組合せを見出し、超伝導を示すバルク体の合成を目指す。
バルク体を用いる事でHTSCとの詳細な比較研究が可能となり、未だコンセンサスを得ていないHTSCの発現機構解明に決定的な寄与をするであろう。