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酸水素化物半導体表面の化学活性に関する基礎的検討

研究課題

研究課題/領域番号 24K08573
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
研究機関国立研究開発法人物質・材料研究機構

研究代表者

鈴木 拓  国立研究開発法人物質・材料研究機構, エネルギー・環境材料研究センター, 主席研究員 (60354354)

研究分担者 飯村 壮史  国立研究開発法人物質・材料研究機構, エネルギー・環境材料研究センター, グループリーダー (80717934)
研究期間 (年度) 2024-04-01 – 2027-03-31
研究課題ステータス 交付 (2024年度)
配分額 *注記
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2024年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
キーワード酸水素化物表面
研究開始時の研究の概要

① 表面水素イオンの状態の解明
ルチルTiO2単結晶の表面に取り込まれた水素イオンの構造を、低速ERDAで明らかにする。試料の作製(水素化)には、パルスジェットによる水素照射とプラズマ照射を用いる。試料の面方位と水素化の条件を系統的に変化させ、表面ヒドリドが形成される条件を見出す。
② 表面ヒドリドによる水素化反応の解明
TiO2単結晶を用いて、水素化による生成物(ギ酸、水素化物)をパルスジェット-TOF-SIMSを用いて分子イオンとして検出することで、反応経路を解明する。TiO2に加え、分担者により合成されたヒドリドイオン伝導体についても検討する。

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公開日: 2024-04-05   更新日: 2024-06-24  

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