| 研究課題/領域番号 |
24K08576
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
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| 研究機関 | 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群) |
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研究代表者 |
森本 貴明 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 准教授 (70754795)
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| 研究分担者 |
石井 啓介 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 教授 (30257208)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2028年度: 130千円 (直接経費: 100千円、間接経費: 30千円)
2027年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2026年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2024年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | IGZO / オゾン / ガスセンサー / ショットキー接触 / 酸化物半導体 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
溶液法によるフレキシブル半導体回路の作製技術確立には、主要部品であるトランジスタの他、種々の機能素子が必要となる。本研究では、オゾンセンサーと電源供給のためのダイオードを低温焼成IGZOで形成する技術を、以下の方針により確立する。
(1) IGZO-TFTオゾンセンサーで、すでに5ppmのオゾンを検出可能であるが、実用濃度の1ppmを検出可能とすべく高感度化する。
(2) センサーの繰り返し使用のためにオゾンの影響を元に戻す「回復動作」が光照射で起こる機構を解明する。
(3) IGZOと金の間がショットキー接触となることを利用しフレキシブルデバイスへの電源供給に必要なダイオードの作製を試みる。
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