研究課題
基盤研究(C)
チオシアン酸銅 (CuSCN) を正孔輸送層に用いたペロブスカイト太陽電池は、他の大半のp型半導体を用いた場合と比べ、光電変換効率が高い。その一方でペロブスカイト結晶上への構造制御を可能とするCuSCN膜の製膜方法は知られていない。そこで申請者は、従来よりも高効率および高耐久性のペロブスカイト太陽電池の創成を目指し、CuSCNの新規製膜方法を開発する。本研究では、ペロブスカイト結晶上へのチオシアネート (SCN) 基を含む銅錯体の形成、それに続く固相反応におけるCuSCN結晶の生成といった新規なCuSCN膜の作製方法の確立、およびその膜の結晶性や移動度が太陽電池の性能に及ぼす影響を解明する。