セルアセンブリ理論に基づく誤った文脈恐怖記憶の想起を増強する記憶エングラムの同定

• 研究課題/領域番号: 24K09699
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分46030:神経機能学関連
• 研究機関: 奥羽大学
• 研究代表者: 関 健二郎 奥羽大学, 薬学部, 教授 (50342803)
• 研究分担者: 松木 亨 愛知県医療療育総合センター発達障害研究所, 細胞病態研究部, 主任研究員 (90332329)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2025年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2024年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
• キーワード: False memory / Fear generalization / Memory engram / Neuronal cell assembly / Corticoid receptors

研究開始時の研究の概要

恐怖体験後にトラウマ記憶が汎化するには長期間掛かるため、時間と共に恐怖記憶が曖昧になることがPTSD要因と考えられる。恐怖体験から数時間後に別環境でFalse memoryが形成され、時間経過と共にそれが増強されることから、恐怖体験を担うセルアセンブリが別環境のそれと一部を共有し、誤った形で記憶エングラムを再固定してfalse memoryを増強したと考えられる。本研究では、糖質コルチコイド受容体刺激が誤った記憶エングラムでfalse memoryを想起し、鉱質コルチコイド受容体の不活性化が記憶エングラムを正しく再固定できず、false memoryが増強するとの仮説を立て、これを検証する。