| 研究課題/領域番号 |
24K17265
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 審査区分 |
小区分21010:電力工学関連
|
|---|
| 研究機関 | 九州工業大学 |
|---|
研究代表者 |
Tripathi Ravi・Nath 九州工業大学, 次世代パワーエレクトロ二クス研究センター, 助教 (00869745)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
|
| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2024年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
|
|---|
| キーワード | Power device / GaN Devices / Paralleling / Gate driving / Control |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
GaN have lower conduction losses than conventional silicon (Si), and have faster switching speeds; it is one of the most important next-generation power semiconductors for small-sized converters. Parallel operation of GaN is believed to be pathbreaker considering extended GaN application.
|
