耐高温SiC集積回路の研究

• 研究課題/領域番号: 24K17307
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 金子 光顕 京都大学, 工学研究科, 助教 (60842896)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2025年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2024年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
• キーワード: 炭化ケイ素 / 電界効果トランジスタ / 論理回路 / デバイスモデル / ホール効果

研究開始時の研究の概要

ワイドギャップ半導体である炭化ケイ素（SiC）による集積回路は高温・高放射線・高圧環境などシリコン（Si）を用いた集積回路では動作困難な厳環境における応用が期待されている。本研究では接合型電界効果トランジスタを用いた集積回路の作製に向け、電子回路シミュレータで使用可能なSiC JFETのデバイスモデルを構築し、計算結果との比較を通して、SiC JFETの高温動作限界見極めを行う。さらに、JFET作製用の基板としてバナジウムドープ半絶縁性SiC基板を提案し、イオン注入層の電子物性解明を通して、その有用性を検討する。