研究課題
若手研究
次世代半導体電子デバイスへの応用が期待されている酸化ガリウムは、デバイスの一部実用化が始まっているものの、基礎物性に関する知見が欠如しており、物性限界を引き出したデバイスの実現には至っていない。本研究では、電子デバイスの基本構造である金属-絶縁体-半導体構造に着目し、デバイス特性に大きな影響を及ぼす「絶縁体」・「絶縁体/酸化ガリウム界面」・「酸化ガリウム」に存在する欠陥準位について、系統的かつ詳細な研究により学術的理解を深め、欠陥準位の制御方法の検討へ展開する。本研究で得られた知見は、酸化ガリウムが有する優れた物性を最大限に引き出したデバイス作製を可能にし、省エネルギー社会の実現に貢献する。
