SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明

• 研究課題/領域番号: 24K17310
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 田中 一 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (40853346)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2028年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2027年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2025年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2024年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
• キーワード: 炭化ケイ素 / MOS反転層 / 移動度 / 原子論 / 量子輸送

研究開始時の研究の概要

炭化ケイ素（SiC）を用いたMOSFETは，パワーデバイスとして実用化が進められているが，そのMOS反転層におけるチャネル移動度が低いため，本来期待される性能を発揮できておらず，反転層での電子輸送の物理モデルも未確立である．そこで本研究では，SiC MOS界面近傍の結晶構造を原子論的に考慮した電子状態・散乱機構の記述と，MOS界面での不規則性を実空間で考慮した量子論的な電子輸送計算により，SiC MOS反転層における電子輸送のモデルを構築することを目指す．