研究課題
若手研究
「モノのインターネット社会」到来へ向け、ウェアラブルデバイスの発達とともに自立運用を達成するための新たな発電デバイスの確立が急務となり、低熱伝導率を発現する微細構造を有したIV族半導体、主にシリコン(Si)やゲルマニウム(Ge)が注目されている。しかし、電気伝導と比較して熱輸送の評価・実証は難しく、特に表面および異種界面における熱伝導の理解に重要なフォノン(格子振動の量子化)散乱機構の解明が進んでいない。本研究では放射光技術を用いた斜入射X線非弾性散乱法によるフォノンスペクトルおよび分散評価に着手することで、SiおよびGeの表面・界面近傍のフォノン散乱機構を明らかにすることを目的としている。