| 研究課題/領域番号 |
24K17314
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
後藤 高寛 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (70827914)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2024年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 窒化物半導体デバイス / 高周波デバイス / MOCVD |
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| 研究開始時の研究の概要 |
次世代6G通信におけるエッジ端末用、高電子移動度トランジスタ(HEMT)の材料としては、 窒化物半導体で最も高い電子移動度と飽和電子速度を有するInNが有望である。一方で、アンモニアを用いた結晶成長技術では、原理的にInNの成膜が困難である。これまで、NH3を用いずに成膜温度と活性窒素の生成を分離可能な準大気圧窒素プラズマMOCVD装置を導入し、InNの成膜を試みてきた。しかしながら、平坦で高純度な成膜、極性および表面の電子蓄積制御技術が確立しておらず、デバイス設計の可能性は大きく制限されている。そこで、基板面方位と結晶成長条件の関係を体系的かつ包括的に調べる。
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