SiC両極性素子におけるキャリア注入層の構造と電気特性の相関解明およびモデル化

• 研究課題/領域番号: 24K17315
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 一般財団法人電力中央研究所
• 研究代表者: 浅田 聡志 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部, 主任研究員 (70870509)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2025年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
• キーワード: SiC / PiNダイオード / スイッチング特性 / 点欠陥

研究開始時の研究の概要

基本的なバイポーラデバイスであるPiNダイオードを対象とし、キャリア注入層におけるキャリア寿命分布や膜厚、点欠陥密度分布などと、デバイス特性との相関を系統的なシミュレーション解析により明らかにする。得られた知見に基づき、キャリア注入層に局所的に点欠陥を導入した新規デバイス構造を設計して作製し、トレードオフ関係にある導通損とスイッチング損を同時低減するとともに、キャリア注入層中の点欠陥のモデルを構築する。