| 研究課題/領域番号 |
24K17329
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
Cito Michele 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所小金井フロンティア研究センター, 研究員 (40991336)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2025年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2024年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | Resonant tunneling diode / Terahertz / Electronic devices / high-frequency / Semiconductors |
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| 研究開始時の研究の概要 |
The project aims to explore non-conventional device designs to improve the maximum output power of resonant tunneling diodes. This will enable the realization of high-output power, high-frequency electronic devices for next-generation wireless communication (beyond 5G-6G).
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