二次元半導体のヘテロ接合を用いた高性能P型トンネルトランジスタの開発

• 研究課題/領域番号: 24K17584
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分28030:ナノ材料科学関連
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 小倉 宏斗 東北大学, 工学研究科, 助教 (60983327)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2024年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
• キーワード: 遷移金属ダイカルコゲナイド / トンネルトランジスタ

研究開始時の研究の概要

本研究では、二次元半導体のヘテロ接合による高性能P型トンネルFETの実現を目指す。申請者は、高濃度にホールドープした層状半導体の多層結晶に、多層のN型チャネルを接合させることで、界面におけるトンネル電流を実証した。本研究では、高濃度電子ドープおよびP型チャネル側のデバイス構造最適化を両立することに焦点を当て、これまで未開拓であった、二次元系による極低消費電力P型トンネルトランジスタを開発する。これにより、将来の超低消費電力デバイスの実現に向けた研究基盤を構築する。