機能磁性材料ホイスラレンの創生と電子構造の解明

• 研究課題/領域番号: 24K17614
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 広島大学
• 研究代表者: 角田 一樹 広島大学, 放射光科学研究所, 特任助教 (20882369)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円); 2025年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2024年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
• キーワード: ホイスラー合金 / ワイル磁性体 / 分子線エピタキシー / ホイスラレン / スピン・角度分解光電子分光

研究開始時の研究の概要

ホイスラー合金は、構成元素の組み合わせにより多彩な性質を示す機能性材料である。本研究では、三次元ホイスラー合金を極限まで薄くした二次元ホイスラレンを新たに創生し、低次元化による新奇物性の開拓および物理特性の増強を試みる。特に、ホイスラレンのトポロジカル物性に着目し、膜厚に依存したフェルミ準位近傍の微細電子構造を高分解能スピン・角度分解光電子分光によって実験的に解明する。