半導体結晶欠陥の3次元挙動と電気的特性の相関解明

• 研究課題/領域番号: 24K17620
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 一般財団法人電力中央研究所
• 研究代表者: 藤榮 文博 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部, 主任研究員 (70920247)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2024年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
• キーワード: 欠陥評価 / 半導体 / X線ラミノグラフィー

研究開始時の研究の概要

本研究では、結晶内部の転位の3次元的な振る舞いを可視化するシステムを構築し、半導体結晶における転位の3次元的な挙動を明らかにしたうえで、デバイスの電気特性との相関を解明する。3次元非破壊評価手法としてX線回折ラミノグラフィー測定技術を構築し、炭化ケイ素（SiC）バルク単結晶およびエピタキシャルウエハ中での転位の3次元的な伝搬を可視化した上で、挙動の異なる個々の転位がパワーデバイスの電気特性に与える影響を明らかにする。