多重外場応答を利用したトランジスタに匹敵するイオン伝導度スイッチング材料の構築

研究課題

研究課題/領域番号	24K17693
研究種目	若手研究
配分区分	基金
審査区分	小区分34010:無機・錯体化学関連
研究機関	北陸先端科学技術大学院大学
研究代表者	青木健太郎北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 助教 (00963810)
研究期間 (年度)	2024-04-01 – 2027-03-31
研究課題ステータス	交付 (2024年度)
配分額 *注記	4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円) 2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円) 2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円) 2024年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
キーワード	イオン伝導度スイッチング / トランジスタ / 光応答 / 電場応答 / メモリスタ
研究開始時の研究の概要	本研究では、光および電位応答性部位を付与した多重外場応答性金属錯体を構築する。この錯体への光および電位印加によりイオン伝導度への協奏的作用を誘起し、トランジスタに匹敵する10^6のイオン伝導度のオン・オフ比を実現する。さらに、外場印加下の結晶構造変化やイオンの易動度、キャリア密度変化を追跡してイオン伝導度スイッチングの機構を解明する。本研究を契機として、イオン伝導度スイッチング材料の設計指針を確立し、イオンを媒体とした新規素子開発へ展開する。