ランタノイドサンドイッチ錯体の表面上合成と走査トンネル顕微鏡による電子状態の調査

• 研究課題/領域番号: 24K17701
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分34010:無機・錯体化学関連
• 研究機関: 国立研究開発法人理化学研究所
• 研究代表者: 田中 慶大 国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 基礎科学特別研究員 (90965360)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2024年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
• キーワード: 表面合成 / 走査トンネル顕微鏡 / ランタノイド錯体

研究開始時の研究の概要

単分子磁石１分子を１ビットとするメモリデバイスの開発には、基板上での1分子の磁性を調べる必要があるが、バルクで80 Kで動作する単分子磁石を含むランタノイド（Ln）錯体は熱的不安定性のために真空蒸着できない。本研究では、基板表面上で類似の構造を持つLn錯体を合成するための基礎を築くことを目指す。過去に単離された0価、2価のLnサンドイッチ錯体をモデルとして、副生成物を出さない合成法と走査トンネル顕微鏡を用いた非弾性トンネル分光によるLn錯体の酸化数の解析手法を開発することで、基板上での精密なLｎ錯体の合成が可能になり、液体窒素の沸点以上で動作する単分子磁石の実現につながることが期待できる。