植込み型心臓デバイス手術における心臓弁膜症に由来するVW因子の変動と止血機序の解明

• 研究課題/領域番号: 24K19075
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分53020:循環器内科学関連
• 研究機関: 国立研究開発法人国立循環器病研究センター
• 研究代表者: 若宮 輝宜 国立研究開発法人国立循環器病研究センター, 病院, 医師 (90991919)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2024年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
• キーワード: フォンウィルブランド因子 / 植込み型心臓電気デバイス

研究開始時の研究の概要

徐脈性不整脈および重症心不全治療・突然死予防において植込み型心臓電気デバイス(CIED)治療の有効性は確立されており、本邦でのCIED植込み件数は増加している。人工弁置換術後を含む重症弁膜症はCIED植込み手術の周術期出血性合併症のリスクであるとの報告があるがその機序は不明である。本研究では、人工弁置換術後を含む重症弁膜症を有するCIED植込み症例に対して、後天性フォンウィルブランド症候群合併の有無を精査することで、弁膜症疾患を有するCIED植込みの周術期出血性合併症の機序を解明し、リスク層別化を行う。その結果、同症例におけるCIED植込み手術周術期の出血リスクの軽減に繋がることが期待される。