SiO2空洞内への選択成長によるラテラルヘテロ接合バイポーラトランジスタの創成

研究課題

研究課題/領域番号	24K21606
研究種目	挑戦的研究(萌芽)
配分区分	基金
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	東京工業大学
研究代表者	宮本恭幸東京工業大学, 工学院, 教授 (40209953)
研究期間 (年度)	2024-06-28 – 2026-03-31
研究課題ステータス	交付 (2024年度)
配分額 *注記	6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円) 2025年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円) 2024年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
キーワード	InGaAs / ラテラルヘテロ接合バイポーラトランジスタ / 選択成長
研究開始時の研究の概要	単結晶の種を持つSiO2の微小空洞内への選択成長時において組成の切り替えにより作製した横型のヘテロ接合を伴ったnpn構造によるラテラルヘテロ接合バイポーラトランジスタを形成する。この構造では、高速化のための寄生容量低減のために必要なエミッタ層とコレクタ層の幅が同じにでき、さらにエミッタ幅の極小化がリソグラフィにより限定される限界も打破でき、高速性においては、いまだMOSFETなどに比べて優れた素質を持つ化合物半導体HBTの形成時の問題点を解決することができる。