| 研究課題/領域番号 |
24K21616
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
喜多 浩之 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授 (00343145)
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| 研究期間 (年度) |
2024-06-28 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2025年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2024年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 強誘電体 / 表面・界面物性 / HfO2 / ナノ薄膜 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
Hf系酸化物は10nm以下の膜厚領域においても明確な強誘電性を示すという特徴があるが，薄膜化には限界があり，その克服が求められている。薄膜化に伴う強誘電性の劣化の主要因は，電極界面近傍で電極との反応に起因して酸素欠損が生じ，分極の応答を阻害するためと考えられる。その一方，Hf系酸化物に対する伸長方向の歪みが強誘電性の発現を促進する役割を持つことも明らかになっている。そこで本研究では，素子構造や薄膜形成条件を工夫し，電極界面の反応を抑制しながら，面内に伸長方向に強く歪みを印加した構造として，3nm以下のHf系酸化物の極薄膜における残留分極を増大させる可能性を検証する。
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