溶液プロセスによる高品質半導体薄膜成長

• 研究課題/領域番号: 24K21623
• 研究種目: 挑戦的研究(萌芽)
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 関西学院大学
• 研究代表者: 藤原 明比古 関西学院大学, 工学部, 教授 (70272458)
• 研究期間 (年度): 2024-06-28 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円); 2026年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2025年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2024年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
• キーワード: トランジスタ / 溶液プロセス / アモルファス酸化物半導体 / 薄膜成長

研究開始時の研究の概要

ディスプレイ駆動用薄膜トランジスタ（TFT）の半導体材料として、アモルファス酸化物半導体（AOS）の一つである酸化インジウムにシリコンを添加したIn-Si-Oを用いる。薄膜作製方法として、溶液法を採用する。溶液法とアモルファス材料を組み合わせることで、高性能と高生産性を両立する。さらに、成膜時の基板の表面の性質（疎水性・親水性）、成膜後の酸素欠損や残留物など溶液法特有の電子物性低下の起源を輸送特性、電子状態、残留物評価によって明らかにする。それらの結果をもとに、キャリアの散乱源や外因的なキャリアを低減し、実用に必要な特性を示す高品質半導体薄膜を作製する。