従来の経験則を超える超ワイドギャップ酸化物の電子ドーピングとデバイス実証

• 研究課題/領域番号: 24K21671
• 研究種目: 挑戦的研究(萌芽)
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 中区分26:材料工学およびその関連分野
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 片瀬 貴義 東京工業大学, 元素戦略MDX研究センター, 准教授 (90648388)
• 研究期間 (年度): 2024-06-28 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円); 2025年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円); 2024年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
• キーワード: 半導体 / 薄膜 / 新材料開発 / ドーピング

研究開始時の研究の概要

電力利用の拡大に伴い、高電圧・大電力制御が可能な高耐圧パワーデバイスの需要が高まっている。パワーデバイスの高耐圧化には、バンドギャップ（Eg）がより大きな半導体材料が必要であるが、従来のドーピング経験則ではEg>5eVの超ワイドギャップ酸化物は半導体化できないと考えられていた。本研究では、超ワイドギャップ酸化物の新規ドーピング手法を開発し、Eg>5eVの新パワー半導体材料の開拓と既存材料の性能を凌駕するパワーデバイスの実証に挑戦する。