らせん気流法によるナノ複合膜を活かすための積層構造形成

• 研究課題/領域番号: 24K21678
• 研究種目: 挑戦的研究(萌芽)
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 中区分26:材料工学およびその関連分野
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 丹下 将克 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 主任研究員 (10533458)
• 研究期間 (年度): 2024-06-28 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円); 2026年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2025年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2024年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
• キーワード: 半導体カーボンナノチューブ / 高分子 / 複合材料 / 凝集抑制 / 近赤外発光素子

研究開始時の研究の概要

カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）では、チューブ構造によって近赤外波長で光吸収や発光が可能である。ただし、それら際立った光学的特徴は、凝集化のような粒子形態の変化で阻害される。最近、研究代表者は、成膜時における半導体ＣＮＴの凝集化を極めて抑えられる『らせん気流を利用した湿式成膜技術』を独自開発した。この技術によって、分光スペクトル線幅の極端に狭い半導体ＣＮＴ複合膜が作製可能になった。しかし、この複合膜単体では、オプトエレクトロニクスへの展開は至難である。そこで本研究では、一次粒子分散性の極めて高い半導体CNT複合膜を最大限活かせる積層構造を形成し、近赤外光を利活用できる機能性素子の開発に繋げる。