| 研究課題/領域番号 |
24K21683
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分26:材料工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
大場 史康 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (90378795)
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| 研究分担者 |
高橋 亮 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (80822311)
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| 研究期間 (年度) |
2024-06-28 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2025年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2024年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 第一原理計算 / 大域的最適化 / 点欠陥 / 半導体 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
結晶表面の再構成と同様に、点欠陥近傍の構造がホスト物質の原子配列に全く従わずに再構成する可能性がある。本研究では、第一原理計算と大域的最適化手法を組み合わせることにより、このような「点欠陥再構成」を的確に予測するための手法を確立する。そして、ワイドギャップ酸化物・窒化物中の点欠陥再構成構造に特有の局所電子状態と機能を開拓し、その知見を体系化することを目指す。
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