| 研究課題/領域番号 |
24K21691
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分26:材料工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
生駒 嘉史 九州大学, 工学研究院, 助教 (90315119)
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| 研究分担者 |
佐道 泰造 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
河野 正道 九州大学, 工学研究院, 教授 (50311634)
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| 研究期間 (年度) |
2024-06-28 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2024年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
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| キーワード | 高圧相変態 / GeSn / SiSn / SiGeSn |
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| 研究開始時の研究の概要 |
近年のIoTやウェアラブル端末等の発展に伴い、高効率発受光素子や室温付近での熱電素子の需要が高まっている。本研究では、室温での金属材料の合金化が可能なHigh-Pressure Torsion (HPT)法を用い、①高Sn濃度GeSn、SiSn混晶半導体、②中エントロピーSiGeSn、③SiGeSn混晶準安定相の形成に挑戦する。本研究で新奇SiGeSn混晶半導体を創製し、環境親和型素子開発を目指す。
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