原子膜技術による次世代パワー半導体の開発

• 研究課題/領域番号: 24K21712
• 研究種目: 挑戦的研究(萌芽)
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 山本 瑛祐 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (60827781)
• 研究期間 (年度): 2024-06-28 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円); 2025年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円); 2024年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
• キーワード: ナノシート / 酸化ガリウム

研究開始時の研究の概要

次世代パワー半導体の開発はマテリアル革新力強化の重要なターゲットであり、高耐圧化が求められる車載・産業用途、高速動作が求められる通信機器用途など、Eco-Society 5.0の実現に欠かせない。こうした新材料として酸化ガリウムが注目されており、SiC、GaNに次ぐ第３世代の重要なターゲットである。本研究では、申請者が最近開発した固体界面活性剤鋳型法を活用して、２次元材料技術との融合による酸化ガリウム原子膜の合成を狙い、SiC、GaNやダイヤモンドを凌駕する半導体の開発を行う。