| 研究課題/領域番号 |
24K21727
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分29:応用物理物性およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
秋山 了太 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (40633962)
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| 研究期間 (年度) |
2024-06-28 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2024年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
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| キーワード | トポロジカル絶縁体 / トポロジカル結晶絶縁体 / 岩塩型構造 / スピンデバイス / 表面科学 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
トポロジカル絶縁体（TI）とは、バルクが絶縁体なのに対し物質表面が金属的で移動度の高くスピン分極した物質群のことで、次世代の電子デバイス実現に有力な物質と目されている。中でもトポロジカル結晶絶縁体（TCI）は、トポロジカル表面状態が結晶の鏡映対称性を起源とし磁場に強く、また伝導チャネル（ディラックコーン）が複数あり多値制御デバイスへの応用も可能で大きな注目を集めている。しかし典型物質のPb1-xSnxTeは薄いと連続膜にならず、電子デバイス応用に長らく大きな障壁があった。その中、我々は原子層レベルで平坦な高品質薄膜作製に成功した。本研究ではそれを活かし新奇なスピントロニクスデバイスを作製する。
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