| 研究課題/領域番号 |
24K21736
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分29:応用物理物性およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京都市大学 |
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研究代表者 |
山田 道洋 東京都市大学, 理工学部, 准教授 (50778529)
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| 研究分担者 |
冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究院, 准教授 (60519411)
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| 研究期間 (年度) |
2024-06-28 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2025年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2024年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | ゲルマニウム / 半導体スピントロニクス / ナノワイヤ |
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| 研究開始時の研究の概要 |
スピンMOSFETは，低消費電力次世代半導体デバイスとして期待されているが，従来研究では横型スピンMOSFETの報告のみであり，スピン伝導チャネルが長く室温での低性能，高抵抗電極や高集積化の観点でさらなる発展が必要とされていた．本研究では縦型Geナノワイヤチャネルという革新的構造を用いることで，従来のバルク横型チャネルでは困難な室温高性能動作と高密度化の問題を克服する縦型Geナノワイヤスピンデバイスの創製を目指す．具体的には(1)位置制御Geナノワイヤの作製とドーピング技術の確立，(2) 縦型Geナノワイヤスピンデバイスプロセスの開発，(3)ナノワイヤ構造におけるスピン伝導特性の評価を行う．
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