研究課題
挑戦的研究(萌芽)
本研究は、Gain-Cell-DRAM（以下、GC-DRAM）と呼ばれる低電圧動作可能DRAMの積極活用により、近似演算器と大容量メモリをチップ内の近傍に集積し、現状の低エネルギー限界を突破する省エネルギー計算基盤を構築するものである。GC-DRAMは、完全ロジックプロセス互換であるため、通常のDRAMより製造コストが低くSRAMのおよそ半分の面積で実装できる。また、従来型SRAMは構造上、低電圧動作が難しいが、GC-DRAMは広い電圧範囲での安定動作が可能である。本研究では、しきい値電圧近傍の低い電源電圧でチップ全体を動作させる技術を確立することにより超省エネルギー計算基盤を創出する。
