| 研究課題/領域番号 |
24K22954
|
|---|
| 研究種目 |
研究活動スタート支援
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 審査区分 |
0302:電気電子工学およびその関連分野
|
|---|
| 研究機関 | 京都工芸繊維大学 |
|---|
研究代表者 |
高山 創 京都工芸繊維大学, 京都グリーンラボ, 特任助教 (30981063)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2024-07-31 – 2026-03-31
|
| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
|
| 配分額 *注記 |
2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
|
|---|
| キーワード | SiC MOSFET / 長期信頼性 / ゲート駆動 / 状態監視 |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
ワイドバンドギャップ半導体であるSiC（炭化ケイ素）は，従来の材料を凌駕する特性を有し，パワー素子としての産業応用が急速に進展している．一方で，その長期的な特性劣化への理解が未だ不十分であり，劣化による致命的な回路動作不良を未然に防ぐための対応が求められる．本研究では，回路実装されたSiCパワー素子の劣化状態を監視する手法を開発し，機能安全性の観点から同素子の長期信頼性を向上させる技術を提案する．
|
