全ホイスラーヘテロ接合の高品質化技術の開発による高性能磁気抵抗素子の実現

• 研究課題/領域番号: 24K23033
• 研究種目: 研究活動スタート支援
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 0402:ナノマイクロ科学、応用物理物性、応用物理工学およびその関連分野
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 山田 晋也 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 准教授 (30725049)
• 研究期間 (年度): 2024-07-31 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
• キーワード: ホイスラー合金 / 磁気抵抗素子 / エピタキシャル成長

研究開始時の研究の概要

本研究では、研究代表者が独自に実証している全ホイスラー構造の「強磁性金属/非磁性体/強磁性金属」三層構造の作製技術を高度化し，低面積抵抗(RA)値・高室温磁気抵抗(MR)比の全ホイスラー型磁気抵抗素子を創製する。具体的には、理想的な「強磁性ホイスラー合金/非磁性ホイスラー合金」ヘテロ接合を実現する技術を開発することで、電子バンド整合界面・格子整合界面・高スピン偏極界面を兼ね備えた全ホイスラー構造の「強磁性金属/非磁性体/強磁性金属」三層構造を実現する。最終的には、磁気抵抗素子を作製し，低RA・高室温MR比を実証する。