| 研究課題/領域番号 |
24KF0164
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
深田 直樹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 副センター長 (90302207)
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| 研究分担者 |
ZHANG QINQIANG 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2024-10-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
2026年度: 300千円 (直接経費: 300千円)
2025年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
2024年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、2次元（2D）材料と1次元（1D）材料のハイブリッドヘテロ構造である2D-GeS/1D-Ge用いて、縦型構造を有する高電子移動度トランジスタ（HEMT）の開発を目的とする。まず、Ge基板上でGeSの結晶化に必要な条件、特に形成温度条件を明らかにし、垂直配向Geナノワイヤの表面へのGeSの成長技術を確立する。更に、Ge領域への選択ドーピングを行い、GeSとn型Ge界面のGeS側への2次元電子ガスの形成制御を目指す。次に、垂直縦型のナノ構造周囲を取り囲むゲート絶縁膜と電極を形成し、HEMTデバイス構造の作製と性能評価を行う。
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